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[1] 基于仿生的超疏水集成芯片的制备方法及SERS平台和应用
[2] 一种无钉扎效应的激光诱导石墨烯的制备方法和应用
[3] 一种单细胞自动印刷系统
[4] 一种单细胞功能评估试剂盒及评估方法授权号：ZL 2020105526822
[5] 一种基因检测芯片及检测方法授权号：ZL 2020105526555
[6] 一种用于乳腺癌肿瘤标志物检测的试剂盒及方法授权号：ZL2020105526911
[7] 提高LED 芯片电流扩展的方法及LED 芯片授权号：ZL201410510065.0
[8] 一种具有特殊粗化形貌的LED 垂直芯片结构及其制备方法授权号： ZL201410468337.5
[9] 垂直型LED 的制作方法授权号：ZL201410318634.1 第一发明人
[10] 发光二极管、封装基板结构及封装方法授权号：ZL201410318643.0 第一发明人
[11] based on selective etching of the conductive for GaN Devices and their applications 授权号： CN102782818B 第一发明人
[12] Conductivity-based selective etching and its applications for GaN Device,s（日本授权发明专利）授权号：JP5961557B2 第一发明人
[13] Conductivity based selective etch for GaN Devices and applications thereof（国授权发明专利）授权号：US9206524B2 第一发明人
[14] based selective etch for GaN Devices and applications thereof（国际发明专利）授权号：WO2011/094391A1 第一发明人
[15] 一种PtSx高性能光电器件及其制备方法和应用授权号：ZL2021110551975 第一发明人
[16] 一种类氧化硅柔性薄膜的生长方法授权号：ZL202010639961 第一发明人
[17] 一种PtSx高性能光电器件及其制备方法和应用授权号：ZL2021110551975 第一发明人
[18] 一种多孔GaN导电DBR及其制备方法授权号：ZL2019103428324 第一发明人
[19] 一种GaN基垂直腔面发射激光器及其制备方法授权号：ZL2019103429844 第一发明人

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