点击次数：

所属单位：新一代半导体材料研究院

论文名称：The surge current failure and thermal analysis of 4H-SiC Schottky Barrier Diode

发表刊物：IEEE Transactions on Electron Devices

第一作者：张斌

论文编号：B1BC604AAB9442D8AE18D256B1AA3FCF

期号：1

字数：4

是否译文：否

发表时间：2024-04

发布时间：2024-05-17