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钟宇
副研究员
性别:女
毕业院校:德国拜罗伊特大学
学历:博士研究生毕业
学位:博士生
在职信息:在职
所在单位:新一代半导体材料集成攻关大平台
入职时间: 2021-01-11
电子邮箱:yu.zhong@sdu.edu.cn
访问量:
开通时间:
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最后更新时间:
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研究领域
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论文成果
王新宇. Multiple P-Type SiC Micro-Island as Junction Termination Extension for 4H-SiC Schottky Barrier Diode. IEEE Electron Device Letters, 2024.
张斌. The surge current failure and thermal analysis of 4H-SiC Schottky Barrier Diode. IEEE Transactions on Electron Devices, 2024.
钟宇. The Impact of Solvent Vapor on the Film Morphology and Crystallization Kinetics of Lead Halide Perovskites during Annealing. ACS Applied Materials and Interfaces, 2021.
Mihirsinh Chauhan. Investigating Two-Step MAPbI3 Thin Film Formation during Spin Coating by Simultaneous in situ Absorption and Photoluminescence Spectroscopy. Journal of Materials Chemistry A, 2021.
钟宇. Role of PCBM in the Suppression of Hysteresis in Perovskite Solar Cells. Advanced Functional Materials, 2021.
钟宇. In situ Investigation of Light Soaking in Organolead Halide Perovskite Films. APL Materials, 2021.
专利
一种碳化硅器件双层金属的刻蚀方法
一种GaN HEMTs及降低器件欧姆接触阻值的方法
一种基于ScAlN介质层的InAlN/GaN MIS-HEMT及其制备方法
一种高性能GaN MIS-HEMT的制备方法
一种确定GaN晶体管纳米尺寸栅长二维电子气面密度的方法
著作成果
Semiconducting Polymer Materials for Biosensing Applications
科研项目
碳化硅MOSFET三维仿真的电流密度提升, 2024/01/16-2024/07/16
后硅时代功率半导体器件研制及产业化技术研究-4, 2022/02/01-2025/02/28
后硅时代功率半导体器件研制及产业化, 2022/02/01-2025/02/28
(包干项目)半导体光电材料的可控制备与器件研究, 2022/03/30-2025/03/31
(包干项目)钙钛矿薄膜微观结构对离子迁移及器件稳定性的影响, 2022/09/07-2025/12/31
科研团队
暂无内容