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林兆军

Professor

Name (Simplified Chinese):林兆军

Name (Pinyin):linzhaojun

Date of Employment:2003-12-08

School/Department:集成电路学院

Gender:Male

Status:Employed

Whether on the job:1

Academic Honor:

Honors and Titles:

Current position: Home >> Scientific Research >> Research Projects

[1] GFJG-KM20210018,2021/10/25,2021/11/30,
[2] 增强型GaN电子器件制备研究,2020/09/01,2021/09/30,
[3] AlGaN/GaN HFET器件特性测试分析,2020/07/01,2021/05/31,
[4] 纳米材料表面生化修饰与POPs的选择性富集,2007/07/01,2011/12/31,
[5] 极化库仑场散射应用于GaN基异质结场效应晶体管器件建模的研究,2019/08/16,2023/12/31,
[6] 增强型GaN电子器件变温测试研究,2019/04/16,2019/12/31,
[7] 化学液相技术制造（ZnS）x（Cu2ZnSnS4）1-x复合纳米晶太阳能电池的研究,2011/01/01,2013/12/31,
[8] ZnSe/BeTeII型量子结构中I型跃迁、II型跃迁的物理机制及二者的相互关联,2008/01/01,2008/12/31,
[9] 无线电综合管理平台（微电子材料与器件研发中心）,2010/10/17,2011/10/16,
[10] 微电子学院科研组织建设项目,2018/01/01,2018/12/01,
[11] GaN微波HEMT器件定制服务合同,2017/12/21,2018/06/30,
[12] 新型AlGaN/GaN开关研制,2017/06/20,2018/06/20,
[13] 微电子学院科研组织建设项目,2017/01/01,2017/12/01,
[14] 大电流增强型GaN基HEMT器件工艺研发,2016/12/20,2021/12/31,
[15] 极化库仑场散射与GaN基异质结场效应晶体管源、漏寄生串联电阻关联关系研究,2015/08/17,2019/12/31,
[16] 基于选择区域生长的非合金欧姆接触GaNHEMT器件基础研究,2015/03/01,2017/07/31,
[17] AIN/GaN HFET器件中散射机理研究,2013/01/01,2015/12/31,
[18] AlGaN/GaN 异质结场效应晶体管中应变极化梯度库仑场散射机制研究,2011/12/08,2015/12/31,
[19] AlGaN/GaN异质结场效应晶体管中与AlGaN势垒层应变分布相关的载流子散射机制,2011/08/31,2015/12/31,
[20] 肖特基接触金属对ALGaN势垒层应变影响研究,2008/01/01,2010/12/31,

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