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论文成果
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High Breakdown Voltage P-GaN Gate HEMTs With Threshold Voltage of 7.1 V
所属单位：
新一代半导体材料研究院
发表刊物：
IEEE Electron Device Letters
第一作者：
陈思衡
论文编号：
CFFF4E6B36CF438F85A95FA554A9E105
卷号：
12
期号：
45
页面范围：
2343
字数：
3000
是否译文：
否
发表时间：
2024-12-01
下一条：
Enhanced device performance of GaN high electron mobility transistors with in situ crystalline SiN cap layer
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