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论文成果
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Impacts of silicon carbide defects on electrical characteristics of SiC devices
所属单位：
新一代半导体材料研究院
发表刊物：
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
第一作者：
来玲玲
论文编号：
D5742555117F4661AA6914F43C395CBC
期号：
060701
字数：
5000
是否译文：
否
发表时间：
2025-02-10
上一条：
Failure Phenomenon of 4H-SiC Schottky Barrier Diode Under Thermal Shock Reliability Test
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High Breakdown Voltage P-GaN Gate HEMTs With Threshold Voltage of 7.1 V
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