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Failure Phenomenon of 4H-SiC Schottky Barrier Diode Under Thermal Shock Reliability Test
所属单位：
新一代半导体材料研究院
第一作者：
曾繁朋
论文编号：
269EBC8BD4C5473D8AA0C7CCC9FFB067
字数：
5000
是否译文：
否
发表时间：
2024-11-18
上一条：
failure mechanism of 1.2 kV/20 A 4H-SiC Schottky barrier diodes under humidity and high reverse bias voltage
下一条：
Impacts of silicon carbide defects on electrical characteristics of SiC devices
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