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Failure Phenomenon of 4H-SiC Schottky Barrier Diode Under Thermal Shock Reliability Test
发布时间：2025-03-04
  • 所属单位：
    新一代半导体材料研究院
  • 论文名称：
    Failure Phenomenon of 4H-SiC Schottky Barrier Diode Under Thermal Shock Reliability Test
  • 发表刊物：
    2024 21st China International Forum on Solid State Lighting & 2024 10th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors (SSLCHINA: IFWS)
  • 第一作者：
    曾繁朋
  • 论文编号：
    269EBC8BD4C5473D8AA0C7CCC9FFB067
  • 字数：
    5000
  • 是否译文：
    否
  • 发表时间：
    2024-11
  • 发布时间：
    2025-03-04
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