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failure mechanism of 1.2 kV/20 A 4H-SiC Schottky barrier diodes under humidity and high reverse bias voltage
所属单位：
新一代半导体材料研究院
发表刊物：
MICROELECTRONICS RELIABILITY
第一作者：
曾繁朋
论文编号：
1904D09074C44E0291C78B6CC255088B
期号：
168
页面范围：
1
字数：
6000
是否译文：
否
发表时间：
2025-03-06
上一条：
The Principles and Applications of Electrical Characterization Techniques for Electrically Active Defects in 4H-SiC Devices
下一条：
Failure Phenomenon of 4H-SiC Schottky Barrier Diode Under Thermal Shock Reliability Test
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