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The Principles and Applications of Electrical Characterization Techniques for Electrically Active Defects in 4H-SiC Devices

• 所属单位：
  新一代半导体材料研究院
• 发表刊物：
  Physica Status Solidi A-Applications and Materials Science
• 第一作者：
  罗兰
• 论文编号：
  1906642867614052353
• 字数：
  8
• 是否译文：
  否
• 发表时间：
  2025-01-01