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王守志
研究员
所属院部：
新一代半导体材料集成攻关大平台
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论文成果
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Novel semiconductor materials for advanced supercapacitors
所属单位：
晶体材料研究院
发表刊物：
Journal of Materials Chemistry C
第一作者：
Liang, Chang
论文编号：
1647786686656729089
卷号：
11
期号：
13
页面范围：
4288-4317
字数：
9
是否译文：
否
发表时间：
2023-03-30
上一条：
Optimizing HVPE flow field to achieve GaN crystal uniform growth
下一条：
Research progress in the postprocessing and application of GaN crystal
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