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王守志
研究员
所属院部：
新一代半导体材料集成攻关大平台
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论文成果
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Optimizing HVPE flow field to achieve GaN crystal uniform growth
所属单位：
新一代半导体材料研究院
发表刊物：
journal of crystal growth
第一作者：
Wu, Yuzhu
论文编号：
1655508995073851394
卷号：
614
字数：
2
是否译文：
否
发表时间：
2023-07-15
上一条：
Research Progress on the Growth of GaN Single Crystal by Sodium Flux Method 基于钠助熔剂法的 GaN 单晶生长研究进展
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Novel semiconductor materials for advanced supercapacitors
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