王守志

研究员

Efficient access to non-damaging GaN (0001) by inductively coupled plasma etching and chemical–mechanical polishing

• 所属单位：
  新一代半导体材料研究院
• 发表刊物：
  Applied Surface Science
• 第一作者：
  李秋波
• 论文编号：
  EEA4EE88010C49A4A376ADBC15C1CB6F
• 期号：
  679
• 字数：
  9
• 是否译文：
  否
• 发表时间：
  2024-09-10