Electrical properties of 90-nm InAlN/GaN HEMT on silicon substrate
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发表刊物:Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures
第一作者:Peng Cui
论文类型:期刊论文
通讯作者:Yuping Zeng
卷号:134
页面范围:114821
是否译文:否
发表时间:2021-05-01
收录刊物:SCI
发表时间:2021-05-01