论文成果
Electrical properties of 90-nm InAlN/GaN HEMT on silicon substrate
发布时间:2021-11-27
  • 发表刊物:
    Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures
  • 第一作者:
    Peng Cui
  • 通讯作者:
    Yuping Zeng
  • 论文类型:
    期刊论文
  • 卷号:
    134
  • 页面范围:
    114821
  • DOI码:
    10.1016/j.physe.2021.114821
  • 是否译文:
  • 发表时间:
    2021-05
  • 收录刊物:
    SCI
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