论文成果
HZO/InAlN/GaN MIS-HEMT on Silicon with SS of 60 mV/dec and fT /fmax of 115/200 GHz
  • 发表刊物:
    2021 Device Research Conference (DRC)
  • 第一作者:
    Peng Cui
  • 论文类型:
    基础研究
  • 通讯作者:
    Yuping Zeng
  • 是否译文:
  • 发表时间:
    2021-06-01

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