登录
|
山东大学
|
English
崔鹏
教授
访问次数：
次
教师拼音名称：
Cui Peng
电子邮箱：
6cc8720a4b707649360e0f916013ceddac3a581e2688779122ee9a32cc914bf9b17e10a64a7a2e459bc0bf5c1b22ac08b22971210baa480eac61ad18e3528708135018f851615d34b96ccca9f3f115c0c4185894666e99bdd7a7d2eeb4bcefdf6bfea348052b4128c068f3c70b33b27da87573fa0b44979b6b7be4b2679080c7
入职时间：
2021-11-26
所在单位：
新一代半导体材料研究院
学历：
博士研究生毕业
办公地点：
山东大学中心校区半导体大楼413
性别：
男
学位：
博士生
毕业院校：
山东大学
所属院系：
新一代半导体材料集成攻关大平台
博士生导师
硕士生导师
返回中文主页
论文成果
HZO/InAlN/GaN MIS-HEMT on Silicon with SS of 60 mV/dec and fT /fmax of 115/200 GHz
发布时间：2021-11-30
发表刊物：
2021 Device Research Conference (DRC)
第一作者：
Peng Cui
通讯作者：
Yuping Zeng
论文类型：
基础研究
是否译文：
否
发表时间：
2021-06
上一条：
Crystallinity engineering of stoichiometric TiO2: transition from insulator to semiconductor
下一条：
Electrical properties of 90-nm InAlN/GaN HEMT on silicon substrate
版权所有 ©山东大学 地址：中国山东省济南市山大南路27号 邮编：250100
查号台：（86）-0531-88395114
值班电话：（86）-0531-88364731 建设维护：山东大学信息化工作办公室
回到顶部
