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论文成果
High-performance InAlN/GaN HEMTs on silicon substrate with high fT × Lg
  • 发表刊物：
    Applied Physics Express
  • 备注：
    (Reported by Semiconductor Today http://www.semiconductor-today.com/features/PDF/semiconductor-today-october-2019-High-frequency.pdf)
  • 全部作者：
    Andrew Mercante,Guangyang Lin,Jie Zhang,Peng Yao,Dennis W Prather
  • 第一作者：
    Peng Cui
  • 通讯作者：
    Yuping Zeng
  • 卷号：
    12
  • 期号：
    10
  • 页面范围：
    104001
  • 是否译文：
    否
  • 发表时间：
    2019-09-01
  • 收录刊物：
    SCI

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