High-performance InAlN/GaN HEMTs on silicon substrate with high fT × Lg
发布时间：2021-11-27
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发表刊物：
Applied Physics Express
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备注：
(Reported by Semiconductor Today http://www.semiconductor-today.com/features/PDF/semiconductor-today-october-2019-High-frequency.pdf)
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第一作者：
Peng Cui
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通讯作者：
Yuping Zeng
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全部作者：
Andrew Mercante,Guangyang Lin,Jie Zhang,Peng Yao,Dennis W Prather
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卷号：
12
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期号：
10
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页面范围：
104001
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DOI码：
10.7567/1882-0786/ab3e29
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是否译文：
否
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发表时间：
2019-09
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收录刊物：
SCI
