The effect of negative substrate bias on the electrical characteristics of InAlN/GaN MIS-HEMTs
发布时间：2021-11-27
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发表刊物：
Journal of Physics D: Applied Physics
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第一作者：
Peng Cui
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通讯作者：
Yuping Zeng
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全部作者：
Lincheng Wei,Guangyang Lin,Jie Zhang,Haochen Zhao
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论文类型：
期刊论文
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卷号：
52
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期号：
46
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页面范围：
465104
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DOI码：
10.1088/1361-6463/ab39fc
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是否译文：
否
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发表时间：
2019-09
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收录刊物：
SCI
