论文成果
The effect of negative substrate bias on the electrical characteristics of InAlN/GaN MIS-HEMTs
  • 发表刊物:
    Journal of Physics D: Applied Physics
  • 全部作者:
    Lincheng Wei,Guangyang Lin,Jie Zhang,Haochen Zhao
  • 第一作者:
    Peng Cui
  • 论文类型:
    期刊论文
  • 通讯作者:
    Yuping Zeng
  • 卷号:
    52
  • 期号:
    46
  • 页面范围:
    465104
  • 是否译文:
  • 发表时间:
    2019-09-01
  • 收录刊物:
    SCI

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