论文成果
One-Volt TiO₂ Thin Film Transistors With Low-Temperature Process
  • 发表刊物:
    IEEE Electron Device Letters
  • 全部作者:
    Yuying Zhang,Peng Cui,Guangyang Lin,Chaoying Ni
  • 第一作者:
    Jie Zhang
  • 通讯作者:
    Yuping Zeng
  • 卷号:
    42
  • 期号:
    4
  • 页面范围:
    521
  • 是否译文:
  • 发表时间:
    2021-04-01
  • 收录刊物:
    SCI

上一条:High-Performance, sub-2 volts TiO2 thin film transistors enabled by ultrathin ZrO2 gate dielectrics

下一条:InAlN/GaN HEMT on Si with fmax = 270 GHz

版权所有   ©山东大学 地址:中国山东省济南市山大南路27号 邮编:250100 
查号台:(86)-0531-88395114
值班电话:(86)-0531-88364731 建设维护:山东大学信息化工作办公室