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论文成果
InAlN/GaN HEMT on Si with fmax = 270 GHz
  • 发表刊物：
    IEEE Transactions on Electron Devices
  • 全部作者：
    Meng Jia,Hang Chen,Guangyang Lin,Jie Zhang,Lars Gundlach,John Q. Xiao
  • 第一作者：
    Peng Cui
  • 论文类型：
    期刊论文
  • 通讯作者：
    Yuping Zeng
  • 卷号：
    68
  • 期号：
    3
  • 页面范围：
    994
  • 是否译文：
    否
  • 发表时间：
    2021-03-01
  • 收录刊物：
    SCI

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