Improving the electrical performance of monolayer top-gated MoS2 transistors by post bis (trifluoromethane) sulfonamide treatment

发布时间：2021-11-29

• 发表刊物：
  Journal of Physics D: Applied Physics
• 第一作者：
  Guangyang Lin
• 通讯作者：
  Yuping Zeng
• 全部作者：
  AT Charlie Johnson,Xiaoshan Liu,Lars Gundlach,Jie Zhang,Haochen Zhao,Peng Cui,Meng Jia,Meng-Qiang Zhao
• 论文类型：
  期刊论文
• 卷号：
  53
• 期号：
  41
• 页面范围：
  415106
• DOI码：
  10.1088/1361-6463/ab9ad8
• 是否译文：
  否
• 发表时间：
  2020-07
• 收录刊物：
  SCI