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论文成果
Improving the electrical performance of monolayer top-gated MoS2 transistors by post bis (trifluoromethane) sulfonamide treatment
  • 发表刊物：
    Journal of Physics D: Applied Physics
  • 全部作者：
    Meng-Qiang Zhao,Meng Jia,Peng Cui,Haochen Zhao,Jie Zhang,Lars Gundlach,Xiaoshan Liu,AT Charlie Johnson
  • 第一作者：
    Guangyang Lin
  • 论文类型：
    期刊论文
  • 通讯作者：
    Yuping Zeng
  • 卷号：
    53
  • 期号：
    41
  • 页面范围：
    415106
  • 是否译文：
    否
  • 发表时间：
    2020-07-01
  • 收录刊物：
    SCI

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