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论文成果
Fabrication of a polycrystalline SiGe-and Ge-on-insulator by Ge condensation of amorphous SiGe on a SiO2/Si substrate
  • 发表刊物：
    Semiconductor Science and Technology
  • 全部作者：
    Dongxue Liang,Zhiwei Huang,Chunyu Yu,Peng Cui,Jie Zhang,Jianyuan Wang,Jianfang Xu,Songyan Chen,Cheng Li
  • 第一作者：
    Guangyang Lin
  • 论文类型：
    期刊论文
  • 通讯作者：
    Yuping Zeng
  • 卷号：
    35
  • 期号：
    9
  • 页面范围：
    095016
  • 是否译文：
    否
  • 发表时间：
    2020-07-01
  • 收录刊物：
    SCI

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