论文成果
Influence of the gate position on source-to-drain resistance in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
  • 发表刊物:
    AIP Advances
  • 全部作者:
    Peng Cui,Jingtao Zhao,Chen Fu,Ming Yang,Yuanjie Lv
  • 第一作者:
    Yan Liu
  • 论文类型:
    期刊论文
  • 通讯作者:
    Zhaojun Lin
  • 卷号:
    7
  • 页面范围:
    085309
  • 是否译文:
  • 发表时间:
    2017-08-01
  • 收录刊物:
    SCI

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