Influence of the gate position on source-to-drain resistance in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors

发布时间：2021-11-29

• 发表刊物：
  AIP Advances
• 第一作者：
  Yan Liu
• 通讯作者：
  Zhaojun Lin
• 全部作者：
  Yuanjie Lv,Ming Yang,Chen Fu,Jingtao Zhao,Peng Cui
• 论文类型：
  期刊论文
• 卷号：
  7
• 页面范围：
  085309
• DOI码：
  10.1063/1.4999442
• 是否译文：
  否
• 发表时间：
  2017-08
• 收录刊物：
  SCI