Effect of polarization Coulomb field scattering on device linearity in AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors

发布时间：2021-11-29

• 发表刊物：
  Journal of Applied Physics
• 第一作者：
  Peng Cui
• 通讯作者：
  Zhaojun Lin
• 全部作者：
  Yan Liu,Chen Fu,Yuanjie Lv
• 卷号：
  122
• 页面范围：
  124508
• DOI码：
  10.1063/1.5005518
• 是否译文：
  否
• 发表时间：
  2017-09
• 收录刊物：
  SCI