论文成果
Effect of polarization Coulomb field scattering on device linearity in AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors
  • 发表刊物:
    Journal of Applied Physics
  • 全部作者:
    Yuanjie Lv,Chen Fu,Yan Liu
  • 第一作者:
    Peng Cui
  • 通讯作者:
    Zhaojun Lin
  • 卷号:
    122
  • 页面范围:
    124508
  • 是否译文:
  • 发表时间:
    2017-09-01
  • 收录刊物:
    SCI

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