论文成果
A study of the impact of gate metals on the performance of AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
  • 发表刊物:
    Applied Physics Letter
  • 全部作者:
    Quanyou Chen,Ming Yang,Peng Cui,Yuanjie Lv,Zhihong Feng
  • 第一作者:
    Jingtao Zhao
  • 论文类型:
    期刊论文
  • 通讯作者:
    Zhaojun Lin
  • 论文编号:
    113502
  • 卷号:
    107
  • 是否译文:
  • 发表时间:
    2015-09-01
  • 收录刊物:
    SCI

上一条:Effects of rapid thermal annealing on the electrical properties and the strain of the AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors with Ni/Au gate electrodes

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