A study of the impact of gate metals on the performance of AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors

发布时间：2021-11-29

• 发表刊物：
  Applied Physics Letter
• 第一作者：
  Jingtao Zhao
• 通讯作者：
  Zhaojun Lin
• 全部作者：
  Quanyou Chen,Ming Yang,Peng Cui,Yuanjie Lv,Zhihong Feng
• 论文类型：
  期刊论文
• 论文编号：
  113502
• 卷号：
  107
• DOI码：
  10.1063/1.4931122
• 是否译文：
  否
• 发表时间：
  2015-09
• 收录刊物：
  SCI