Effects of rapid thermal annealing on the electrical properties and the strain of the AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors with Ni/Au gate electrodes

发布时间：2021-11-29

• 发表刊物：
  Applied physics A-Materials Science & Processing
• 第一作者：
  Jingtao Zhao
• 通讯作者：
  Zhaojun Lin
• 全部作者：
  Quanyou Chen,Ming Yang,Peng Cui,Yuanjie Lv,Zhihong Feng
• 论文类型：
  期刊论文
• 卷号：
  121
• 页面范围：
  1271
• DOI码：
  10.1007/s00339-015-9504-6
• 是否译文：
  否
• 发表时间：
  2015-11
• 收录刊物：
  SCI