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论文成果

Effects of rapid thermal annealing on the electrical properties and the strain of the AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors with Ni/Au gate electrodes

发表刊物：

Applied physics A-Materials Science & Processing
全部作者：

Quanyou Chen,Ming Yang,Peng Cui,Yuanjie Lv,Zhihong Feng
第一作者：

Jingtao Zhao
论文类型：

期刊论文
通讯作者：

Zhaojun Lin
卷号：

121
页面范围：

1271
是否译文：

否
发表时间：

2015-11-01
收录刊物：

SCI

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