Enhanced Electrical Performance of Forming Gas Annealed InAlN/GaN HEMTs on Silicon with fT /fmax of 165/165 GHz

发布时间：2021-11-30

• 发表刊物：
  2020 Device Research Conference (DRC)
• 第一作者：
  Peng Cui
• 通讯作者：
  Yuping Zeng
• 全部作者：
  Lars Gundlach,Jie Zhang,Guangyang Lin,Meng Jia
• 是否译文：
  否
• 发表时间：
  2020-06