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论文成果
Effect of different gate lengths on device linearity in AlGaN/GaN high electron mobility transistors
  • 发表刊物：
    Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures
  • 全部作者：
    Yuanjie Lv,Huan Liu,Aijie Cheng,Chongbiao Luan,Yang Zhou
  • 第一作者：
    Peng Cui
  • 论文类型：
    期刊论文
  • 通讯作者：
    Zhaojun Lin
  • 卷号：
    119
  • 页面范围：
    114027
  • 是否译文：
    否
  • 发表时间：
    2020-05-01
  • 收录刊物：
    SCI

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