Effect of different gate lengths on device linearity in AlGaN/GaN high electron mobility transistors
发布时间：2021-11-27
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发表刊物：
Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures
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第一作者：
Peng Cui
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通讯作者：
Zhaojun Lin
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全部作者：
Yuanjie Lv,Huan Liu,Aijie Cheng,Chongbiao Luan,Yang Zhou
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论文类型：
期刊论文
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卷号：
119
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页面范围：
114027
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DOI码：
10.1016/j.physe.2020.114027
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是否译文：
否
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发表时间：
2020-05
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收录刊物：
SCI
