论文成果
Study of electrical transport properties of GaN-based side-gate heterostructure transistors
  • 所属单位:
    微电子学院
  • 发表刊物:
    Applied Physics Letters
  • 第一作者:
    周衡
  • 论文编号:
    F21FE017C09E49068D2EF4356497F757
  • 期号:
    21
  • 字数:
    3
  • 是否译文:
  • 发表时间:
    2022-11-22

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