论文成果
Monte Carlo Investigation of High-Field Electron Transport Properties in AlGaN/GaN HFETs
  • 所属单位:
    微电子学院
  • 发表刊物:
    IEEE Electron Device Letters
  • 第一作者:
    王鸣雁
  • 论文编号:
    6A449E6A0FD14BC98E8DFDB859B8447D
  • 期号:
    12
  • 字数:
    3
  • 是否译文:
  • 发表时间:
    2022-10-26

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