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论文成果
Improved Electrical Performance of InAlN/GaN High Electron Mobility Transistors with Post Bis(trifluoromethane) Sulfonamide Treatment
  • 所属单位：
    新一代半导体材料研究院
  • 发表刊物：
    Crystals
  • 第一作者：
    崔鹏
  • 论文编号：
    D01F9BC84B5D49F29625A47921AE486F
  • 卷号：
    12
  • 期号：
    11
  • 页面范围：
    1521
  • 字数：
    3500
  • 是否译文：
    否
  • 发表时间：
    2022-11-26

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