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山东大学
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崔鹏
教授
访问次数：
次
教师拼音名称：
Cui Peng
电子邮箱：
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入职时间：
2021-11-26
所在单位：
新一代半导体材料研究院
学历：
博士研究生毕业
办公地点：
山东大学中心校区半导体大楼413
性别：
男
学位：
博士生
毕业院校：
山东大学
所属院系：
新一代半导体材料集成攻关大平台
博士生导师
硕士生导师
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论文成果
Improved Electrical Performance of InAlN/GaN High Electron Mobility Transistors with Post Bis(trifluoromethane) Sulfonamide Treatment
发布时间：2022-12-27
所属单位：
新一代半导体材料研究院
发表刊物：
Crystals
第一作者：
崔鹏
论文编号：
D01F9BC84B5D49F29625A47921AE486F
卷号：
12
期号：
11
页面范围：
1521
字数：
3500
是否译文：
否
发表时间：
2022-11
上一条：
Influence of the ZrO2 gate dielectric layer on polarization coulomb field scattering in InAlN/GaN metal–insulator–semiconductor high-electron-mobility transistors
下一条：
Scaling behavior of InAlN/GaN HEMTs on silicon for RF applications
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