Influence of the ZrO2 gate dielectric layer on polarization coulomb field scattering in InAlN/GaN metal–insulator–semiconductor high-electron-mobility transistors

发布时间：2022-12-27

• 所属单位：
  新一代半导体材料研究院
• 发表刊物：
  MICROELECTRONICS JOURNAL
• 第一作者：
  崔鹏
• 论文编号：
  AF538DD88E9340EF99FA18C5BE695D85
• 卷号：
  129
• 期号：
  1
• 页面范围：
  105602
• 字数：
  3500
• 是否译文：
  否
• 发表时间：
  2022-11