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论文成果

Influence of the ZrO2 gate dielectric layer on polarization coulomb field scattering in InAlN/GaN metal–insulator–semiconductor high-electron-mobility transistors

所属单位：

新一代半导体材料研究院
发表刊物：

MICROELECTRONICS JOURNAL
第一作者：

崔鹏
论文编号：

AF538DD88E9340EF99FA18C5BE695D85
卷号：

129
期号：

1
页面范围：

105602
字数：

3500
是否译文：

否
发表时间：

2022-11-26

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