论文成果
Bias-Dependent Electron Velocity Extracted From AlGaN/GaN HFETs and Its Impact on gm and fT
  • 所属单位:
    集成电路学院
  • 发表刊物:
    IEEE Electron Device Letters
  • 第一作者:
    王鸣雁
  • 论文编号:
    4B0DEB3F96FA4996984DC4990B4D40E1
  • 期号:
    12
  • 字数:
    3
  • 是否译文:
  • 发表时间:
    2023-10-05

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