Influence of polarization Coulomb field scattering on the electrical properties of normally-off recessed gate AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistor with ALD-Al2O3 gate dielectric stack

发布时间：2024-05-17

• 所属单位：
  新一代半导体材料研究院
• 发表刊物：
  SOLID-STATE ELECTRONICS
• 第一作者：
  Jiang, Guangyuan
• 论文编号：
  33733E2B9BFF407EB865DA65E98904F1
• 卷号：
  201
• 字数：
  4000
• 是否译文：
  否
• 发表时间：
  2023-03