论文成果
Influence of post fabrication annealing on device performance of InAlN/GaN high electron mobility transistors
  • 所属单位:
    新一代半导体材料研究院
  • 发表刊物:
    Journal of Physics and Chemistry of Solids
  • 第一作者:
    罗鑫
  • 论文编号:
    1747462737015623682
  • 卷号:
    187
  • 字数:
    4000
  • 是否译文:
  • 发表时间:
    2024-04-01

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