论文成果
The surge current failure and thermal analysis of 4H-SiC Schottky Barrier Diode
  • 所属单位:
    新一代半导体材料研究院
  • 发表刊物:
    IEEE Transactions on Electron Devices
  • 第一作者:
    张斌
  • 论文编号:
    B1BC604AAB9442D8AE18D256B1AA3FCF
  • 期号:
    1
  • 字数:
    4
  • 是否译文:
  • 发表时间:
    2024-04-09

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