论文成果
Toward low-power-consumption source-gated phototransistor
  • 所属单位:
    物理学院
  • 发表刊物:
    APPLIED PHYSICS LETTERS
  • 第一作者:
    王明绪
  • 论文编号:
    54720072DD9D4B24AC6D513FC2CC80A5
  • 期号:
    124
  • 字数:
    3
  • 是否译文:
  • 发表时间:
    2024-05-15

下一条:Improved electrical performance of InAlN/GaN high electron mobility transistors with forming gas annealing

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