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论文成果
Modeling of the Gate Bias-Dependent Velocity–Field Relationship and Physics-Based Current-Voltage Characteristics in AlGaN/GaN HFETs
  • 所属单位：
    集成电路学院
  • 发表刊物：
    IEEE ACCESS
  • 第一作者：
    王鸣雁
  • 论文编号：
    8C0EF47C110A46B4AA20B60BD11A564F
  • 期号：
    12
  • 字数：
    3000
  • 是否译文：
    否
  • 发表时间：
    2024-01-16

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