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论文成果
Bias-dependent electron velocity and short-channel effect in scaling sub-100？nm InAlN/GaN HFETs
  • 所属单位：
    集成电路学院
  • 发表刊物：
    Applied Physics Letters
  • 第一作者：
    王鸣雁
  • 论文编号：
    51AD8BC7588A4CD3A8FBDF68C546B47F
  • 期号：
    124
  • 字数：
    3000
  • 是否译文：
    否
  • 发表时间：
    2024-04-08

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