Enhanced device performance of GaN high electron mobility transistors with in situ crystalline SiN cap layer

发布时间：2024-12-09

• 所属单位：
  新一代半导体材料研究院
• 发表刊物：
  APPLIED PHYSICS LETTERS
• 第一作者：
  罗鑫
• 论文编号：
  1843556233512062977
• 卷号：
  125
• 期号：
  12
• 字数：
  4000
• 是否译文：
  否
• 发表时间：
  2024-09