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论文成果
Enhanced device performance of GaN high electron mobility transistors with in situ crystalline SiN cap layer
  • 所属单位：
    新一代半导体材料研究院
  • 发表刊物：
    Applied Physics Letters
  • 第一作者：
    罗鑫
  • 论文编号：
    1843556233512062977
  • 卷号：
    125
  • 期号：
    12
  • 字数：
    4000
  • 是否译文：
    否
  • 发表时间：
    2024-09-01

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