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论文成果
High Breakdown Voltage P-GaN Gate HEMTs With Threshold Voltage of 7.1 V
  • 所属单位：
    新一代半导体材料研究院
  • 发表刊物：
    IEEE Electron Device Letters
  • 第一作者：
    陈思衡
  • 论文编号：
    CFFF4E6B36CF438F85A95FA554A9E105
  • 卷号：
    12
  • 期号：
    45
  • 页面范围：
    2343
  • 字数：
    3000
  • 是否译文：
    否
  • 发表时间：
    2024-12-01

下一条：Enhanced device performance of GaN high electron mobility transistors with in situ crystalline SiN cap layer

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