专利
提高 AlGaN/GaN 异质结场效应晶体管线性度的方法
  • 所属单位:
    山东大学
  • 第一作者:
    林兆军
  • 发明设计人:
    崔鹏,吕元杰,杨铭,付晨,杨勇雄
  • 专利类型:
    发明
  • 专利状态:
    授权专利
  • 申请号:
    CN201710930227.X
  • 授权号:
    CN107742643A
  • 是否职务专利:
  • 申请日期:
    2017-10-09
  • 公开日期:
    2018-02-27
  • 授权日期:
    2020-04-17

上一条:一种版图结构、半导体器件和其制造方法

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