专利
一种版图结构、半导体器件和其制造方法
  • 所属单位:
    新一代半导体材料研究院
  • 专利类型:
    发明
  • 申请号:
    202311576748.1
  • 发明人数:
    4
  • 是否职务专利:
  • 申请日期:
    2023-11-24
  • 公开日期:
    2024-03-08
  • 授权日期:
    2024-03-08

上一条:一种SiC MOSFET各部分栅电容及器件沟道电容的精确提取方法

下一条:提高 AlGaN/GaN 异质结场效应晶体管线性度的方法

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