专利
提高InAlN/GaN高电子迁移率晶体管电学性能的方法
  • 所属单位:
    新一代半导体材料研究院
  • 专利类型:
    发明
  • 申请号:
    202111558290.8
  • 发明人数:
    4
  • 是否职务专利:
  • 申请日期:
    2021-12-20
  • 公开日期:
    2024-02-02
  • 授权日期:
    2024-02-02

上一条:一种确定GaN晶体管纳米尺寸栅长二维电子气面密度的方法

下一条:一种SiC MOSFET各部分栅电容及器件沟道电容的精确提取方法

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