专利
一种SiC MOSFET各部分栅电容及器件沟道电容的精确提取方法
  • 所属单位:
    新一代半导体材料研究院
  • 专利类型:
    发明
  • 申请号:
    202311157957.2
  • 发明人数:
    4
  • 是否职务专利:
  • 申请日期:
    2023-09-08
  • 公开日期:
    2024-04-05
  • 授权日期:
    2024-04-05

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