专利
一种高性能GaN MIS-HEMT的制备方法
  • 所属单位:
    新一代半导体材料研究院
  • 专利类型:
    发明
  • 申请号:
    202310437073.6
  • 发明人数:
    8
  • 是否职务专利:
  • 申请日期:
    2023-04-18
  • 公开日期:
    2024-02-02
  • 授权日期:
    2024-02-02

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