专利
一种高性能GaN MIS-HEMT的制备方法
发布时间：2024-05-18
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所属单位：
新一代半导体材料研究院
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专利类型：
发明
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申请号：
202310437073.6
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发明人数：
8
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是否职务专利：
否
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申请日期：
2023-04-18
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公开日期：
2024-02-02
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授权日期：
2024-02-02
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