专利
碳化硅混合3C-SiC接触PN结肖特基二极管及制备方法
  • 所属单位:
    新一代半导体材料研究院
  • 专利类型:
    发明
  • 申请号:
    202311453784.9
  • 发明人数:
    4
  • 是否职务专利:
  • 申请日期:
    2023-11-03
  • 公开日期:
    2024-03-01
  • 授权日期:
    2024-03-01

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