专利
集成SBD的SiC衬底上增强型GaN HEMT器件
  • 所属单位:
    新一代半导体材料研究院
  • 专利类型:
    发明
  • 申请号:
    202410423858.2
  • 发明人数:
    4
  • 是否职务专利:
  • 申请日期:
    2024-04-10
  • 公开日期:
    2024-06-11
  • 授权日期:
    2024-06-11

上一条:一种增强型GaN HEMT器件结构和制造方法

下一条:一种GaN HEMTs及降低器件欧姆接触阻值的方法

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