专利
一种增强型GaN HEMT器件结构和制造方法
发布时间：2024-07-11
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所属单位：
新一代半导体材料研究院
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专利类型：
发明
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申请号：
202410508321.6
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发明人数：
4
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是否职务专利：
否
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申请日期：
2024-04-26
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公开日期：
2024-07-09
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授权日期：
2024-07-09
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