专利
具有氟基气体处理AlN帽层的氮化镓HEMT器件及其制备方法
  • 所属单位:
    新一代半导体材料研究院
  • 专利类型:
    发明
  • 申请号:
    202410612021.2
  • 发明人数:
    4
  • 是否职务专利:
  • 申请日期:
    2024-05-17
  • 公开日期:
    2024-09-03
  • 授权日期:
    2024-09-03

下一条:基于能带调控结终端的氮化镓肖特基二极管及其制备方法

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