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专利
一种高压平面栅金属-氧化物场效应晶体管及其制造方法方法
  • 所属单位：
    新一代半导体材料研究院
  • 专利类型：
    发明
  • 申请号：
    202510251506.8
  • 发明人数：
    4
  • 是否职务专利：
    否
  • 申请日期：
    2025-03-05
  • 公开日期：
    2025-05-23
  • 授权日期：
    2025-05-23

下一条：一种基于物理基紧凑型电流电压模型的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管优化方法

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