专利
一种基于物理基紧凑型电流电压模型的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管优化方法
  • 所属单位:
    集成电路学院
  • 专利类型:
    发明
  • 申请号:
    202211682596.9
  • 发明人数:
    2
  • 是否职务专利:
  • 申请日期:
    2022-12-27
  • 公开日期:
    2025-05-30
  • 授权日期:
    2025-05-30

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